加州聖荷西–(BUSINESS WIRE)–(美國商業資訊)– 總部位於矽谷、致力於研發類比記憶體運算(IMC)解決方案的半導體公司TetraMem Inc.今日宣布，旗下以22奈米多位元阻變記憶體(RRAM)為基礎打造的類比IMC系統級晶片(SoC)平台MLX200已成功完成投片、生產以及初始矽晶驗證。 此次成果代表憑藉新型非易失性儲存技術打造的類比運算架構向商業化落地邁出重要一步，能夠因應現在AI系統日益嚴峻的資料傳輸、功耗和散熱受限等挑戰。 隨著AI工作負載規模持續擴大，系統效能日益受到記憶體和運算單元之間資料傳輸成本的制約。類比記憶體運算採用一種截然不同的方法，直接在儲存陣列內部執行運算，大幅減少資料傳輸行為，並提升了系統級效率。TetraMem的MLX200平台將多位元RRAM陣列與類比運算引擎融為一體，使儲存內部能夠完成高輸送量向量矩陣運算，同時保持與先進互補金屬氧化物半導體(CMOS)製程的相容性。 憑藉TSMC 22奈米CMOS製程實現量產應用的多位元RRAM技術，具備實際部署所需的關鍵特性，包括可相容CMOS製程且額外製程複雜度極低、低電壓低電流工作模式、出色的
